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MCH3375
--1.6
--1.4
ID -- VDS
Ta=25°C
--2.0
--1.8
VDS= --10V
ID -- VGS
--1.6
--1.2
--1.4
--1.0
--3.5
V
--1.2
--0.8
--0.6
--1.0
--0.8
--0.4
--0.2
--3.0V
VGS= --2.5V
--0.6
--0.4
--0.2
0
0
--0.1
--0.2
--0.3
--0.4
--0.5
--0.6
--0.7
--0.8
--0.9
--1.0
0
0
--0.5
--1.0
--1.5
--2.0
--2.5
--3.0
--3.5
--4.0
1000
Drain to Source Voltage, VDS -- V
RDS(on) -- VGS
IT16626
Ta=25°C
1000
Gate to Source Voltage, VGS -- V
RDS(on) -- Ta
IT16627
900
900
= --0
--4.0
VGS
--0.4
, I D=
4.5V
= --
10.0V, I D
800
700
600
500
400
300
200
100
ID= --0.4A
--0.8A
800
700
600
500
400
300
200
100
=
VGS
V GS= --
V, I D
.4A
A
= --0.8A
0
0
--2
--4
--6
--8
--10
--12
--14
--16
0
--60 --40
--20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
Gate to Source Voltage, VGS -- V
10
7
| y fs | -- ID
IT16637
VDS= --10V
--10
7
5
Ambient Temperature, Ta -- ° C
IS -- VSD
IT16638
VGS=0V
5
3
2
5 °
° C
75 °
3
2
1.0
7
5
3
2
Ta
=
--2
25
C
C
--1.0
7
5
3
2
--0.1
7
5
3
2
--0.01
7
5
3
2
0.1
--0.01
2
3
5 7 --0.1
2
3
5 7 --1.0
2
3
5 7 --10
--0.001
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
100
7
5
Drain Current, ID -- A
SW Time -- ID
IT16630
VDD= --15V
VGS= --10V
1000
7
5
Diode Forward Voltage, VSD -- V
Ciss, Coss, Crss -- VDS
IT16631
f=1MHz
3
2
td(off)
3
2
10
100
Ciss
7
5
3
2
td(on)
tr
tf
7
5
3
2
Coss
Crss
1.0
--0.01
2
3
5 7 --0.1
2
3
5 7 --1.0
2
3
5 7 --10
10
0
--5
--10
--15
--20
--25
--30
Drain Current, ID -- A
IT16632
Drain to Source Voltage, VDS -- V
IT16633
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